FDC8878 MOSFET 30V N-ቻናል PowerTrench MOSFET
♠ የምርት መግለጫ
መለያ ዴል ምርት | Valor de attributo |
ፋብሪካ፡ | አንድ ሰሚ |
ምድብ፡- | MOSFET |
RoHS፡ | ዝርዝሮች |
ቴክኖሎጂ፡ | Si |
ኢስቲሎ ደ ሞንታጄ፡ | SMD/SMT |
ፓኬቴ / ኩቢየርታ፡ | SSOT-6 |
ፖላሪዳድ ዴል ትራንዚስተር፡- | ኤን-ቻናል |
ኑሜሮ ደ ካናልስ፡ | 1 ቻናል |
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 ቮ |
መታወቂያ - Corriente de drenaje continua፡- | 8 አ |
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 16 ሚ.ኤም |
Vgs - Tensión entre puerta y fuente፡- | - 20 ቮ፣ + 20 ቮ |
Vgs ኛ - Tensión umbral entre puerta y fuente፡- | 1.2 ቪ |
Qg - ካርጋ ዴ ፑርታ፡ | 18 nC |
የሙቀት መጠን: | - 55 ሴ |
Temperatura de trabajo máxima፡- | + 150 ሴ |
Dp - Disipación de potencia : | 800 ሜጋ ዋት |
ሞዶ ካናል፡ | ማሻሻል |
ታዋቂ ኮሜርሻል፡ | PowerTrench |
ኢምፓኬታዶ፡ | ሪል |
ኢምፓኬታዶ፡ | ቴፕ ይቁረጡ |
ኢምፓኬታዶ፡ | MouseReel |
ማርካ፡ | onsemi / Fairchild |
ውቅረት፡- | ነጠላ |
አልቱራ፡ | 1.1 ሚሜ |
ሎንግቱድ፡ | 2.9 ሚሜ |
ጠቃሚ ምክር፡- | MOSFET |
ተከታታይ፡ | FDC8878 |
ካንቲዳድ ደ ኢምፓክ ደ ፋብሪካ፡- | 3000 |
ንዑስ ምድብ፡ | MOSFETs |
ቲፖ ደ ትራንዚስተር፡ | 1 ኤን-ቻናል |
አንቾ፡ | 1.6 ሚሜ |
ፔሶ ዴ ላ ዩኒዳድ፡- | 0.001270 አውንስ |