VNB35N07TR-E የኃይል መቀየሪያ አይሲዎች - የኃይል ማከፋፈያ OMNIFETII ሙሉ በሙሉ በራስ-ሰር ጥበቃ Pwr MOSFET
♠ የምርት መግለጫ
| የምርት ባህሪ | የባህሪ እሴት |
| አምራች፡ | STMicroelectronics |
| የምርት ምድብ፡- | የኃይል መቀየሪያ ICs - የኃይል ማከፋፈያ |
| ዓይነት፡- | ዝቅተኛ ጎን |
| የውጤቶች ብዛት፡- | 1 ውፅዓት |
| የአሁኑ ገደብ፡ | 35 አ |
| በመቋቋም ላይ - ከፍተኛ፡ | 28 ሚ.ኤም |
| በጊዜ - ከፍተኛ፡ | 200 ns |
| የእረፍት ጊዜ - ከፍተኛ: | 1 እኛ |
| የአቅርቦት ቮልቴጅ: | 28 ቮ |
| ዝቅተኛው የአሠራር ሙቀት; | - 40 ሴ |
| ከፍተኛው የአሠራር ሙቀት: | + 150 ሴ |
| የመጫኛ ዘይቤ፡ | SMD/SMT |
| ጥቅል / መያዣ: | D2PAK-3 |
| ተከታታይ፡ | VNB35N07-ኢ |
| ብቃት፡ | AEC-Q100 |
| ማሸግ፡ | ሪል |
| ማሸግ፡ | ቴፕ ይቁረጡ |
| ማሸግ፡ | MouseReel |
| የምርት ስም፡ | STMicroelectronics |
| ስሜታዊ እርጥበት; | አዎ |
| ፒዲ - የኃይል መጥፋት; | 125000 ሜጋ ዋት |
| የምርት አይነት: | የኃይል መቀየሪያ ICs - የኃይል ማከፋፈያ |
| የፋብሪካ ጥቅል ብዛት፡- | 1000 |
| ንዑስ ምድብ፡ | አይሲዎችን ቀይር |
| የክፍል ክብደት፡ | 0.079014 አውንስ |
♠ OMNIFET፡ ሙሉ በሙሉ በራስ-የተጠበቀ ኃይል MOSFET
VNP35N07-E፣ VNB35N07-E እና VNV35N07-E በ STMicroelectronics VIPower® ቴክኖሎጂ በመጠቀም የተሰሩ ሞኖሊቲክ መሳሪያዎች በዲሲ ውስጥ መደበኛ የኃይል MOSFET ዎችን ወደ 50 kHz አፕሊኬሽኖች ለመተካት የታሰቡ ናቸው።
አብሮገነብ የሙቀት መዘጋት፣ የመስመራዊ የአሁኑ ገደብ እና ከመጠን በላይ የቮልቴጅ መቆንጠጫ ቺፑን በአስቸጋሪ አካባቢዎች ውስጥ ይከላከሉ።
በግቤት ፒን ላይ ያለውን ቮልቴጅ በመከታተል የተሳሳተ ግብረመልስ ሊታወቅ ይችላል.
• አውቶሞቲቭ ብቁ
• የመስመራዊ የአሁኑ ገደብ
• የሙቀት መዘጋት
• አጭር የወረዳ ጥበቃ
• የተቀናጀ መቆንጠጫ
• ዝቅተኛ ጅረት ከግቤት ፒን የተወሰደ
• በግቤት ፒን በኩል የምርመራ ግብረመልስ
• የ ESD ጥበቃ
• ወደ ሃይል MOSFET በር በቀጥታ መድረስ (አናሎግ መንዳት)
• ከመደበኛ ኃይል MOSFET ጋር ተኳሃኝ።
• መደበኛ TO-220 ጥቅል
• የ2002/95/EC የአውሮፓ መመሪያን ያከብራል።
