SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38.5W 60mohm @ 10V
♠ የምርት መግለጫ
| የምርት ባህሪ | የባህሪ እሴት |
| አምራች፡ | ቪሻይ |
| የምርት ምድብ፡- | MOSFET |
| ቴክኖሎጂ፡ | Si |
| የመጫኛ ዘይቤ፡ | SMD/SMT |
| ጥቅል / መያዣ: | ወደ-252-3 |
| ትራንዚስተር ፖላሪቲ፡ | ፒ-ቻናል |
| የሰርጦች ብዛት፡- | 1 ቻናል |
| ቪዲኤስ - የፍሳሽ-ምንጭ መበላሸት ቮልቴጅ፡ | 60 ቮ |
| መታወቂያ - ቀጣይነት ያለው የውሃ ፍሳሽ ወቅታዊ፡ | 50 አ |
| Rds በርቷል - የፍሳሽ-ምንጭ መቋቋም; | 60 mOhms |
| Vgs - በር-ምንጭ ቮልቴጅ፡- | - 20 ቮ፣ + 20 ቮ |
| Vgs ኛ - የበር-ምንጭ ገደብ ቮልቴጅ፡ | 3 ቮ |
| Qg - የበር ክፍያ; | 40 nC |
| ዝቅተኛው የአሠራር ሙቀት; | - 55 ሴ |
| ከፍተኛው የአሠራር ሙቀት: | + 150 ሴ |
| ፒዲ - የኃይል መጥፋት; | 113 ዋ |
| የሰርጥ ሁኔታ፡- | ማሻሻል |
| የንግድ ስም፡ | TrenchFET |
| ማሸግ፡ | ሪል |
| ማሸግ፡ | ቴፕ ይቁረጡ |
| ማሸግ፡ | MouseReel |
| የምርት ስም፡ | ቪሻይ ሴሚኮንዳክተሮች |
| ውቅር፡ | ነጠላ |
| የውድቀት ጊዜ፡ | 30 ns |
| ወደፊት ትራንስፎርመር - ደቂቃ፡- | 22 ኤስ |
| የምርት አይነት: | MOSFET |
| የመነሻ ጊዜ፡ | 9 ns |
| ተከታታይ፡ | SUD |
| የፋብሪካ ጥቅል ብዛት፡- | 2000 |
| ንዑስ ምድብ፡ | MOSFETs |
| ትራንዚስተር ዓይነት፡- | 1 ፒ-ቻናል |
| የተለመደው የማጥፋት መዘግየት ጊዜ፡- | 65 ns |
| የተለመደው የማብራት መዘግየት ጊዜ፡- | 8 ns |
| ክፍል # ተለዋጭ ስሞች | SUD19P06-60-BE3 |
| የክፍል ክብደት፡ | 0.011640 አውንስ |
• Halogen-ነጻ በ IEC 61249-2-21 ፍቺ መሰረት
• TrenchFET® ኃይል MOSFET
• 100 % UIS ተፈትኗል
• በRoHS መመሪያ 2002/95/ኢ.ሲ
• ከፍተኛ የጎን መቀየሪያ ለሙሉ ድልድይ መለወጫ
• ዲሲ/ዲሲ መቀየሪያ ለኤልሲዲ ማሳያ
